SiC keraminė UV lazerinio pjovimo mašina
SiC keraminė UV lazerinė pjovimo mašina skirta preciziškam silicio karbido (SiC) keramikos komponentų pjovimui, gręžimui, įbrėžimui ir mikroapdirbimui.
Sistema, aprūpinta 355 nm UV nanosekundžių lazeriu, 20 W lazerio galia, didelio-greičio galvanometro nuskaitymu ir tiksliu judesio valdymu, optimizuota ploniems ir tiksliams SiC keramikos komponentams, kur svarbios smulkios savybės, mažos skylės, siauri įpjovimai ir kontroliuojamas šiluminis poveikis.
(Tais atvejais, kai reikalingas mažesnis šiluminis poveikis ir didesnis tikslumas, galima pasirinkti ultravioletinį pikosekundinį lazerį.)
Mūsų privalumai
Maža fokusuota vieta
Mūsų pažangi optinė sistema pasiekia mažiausiai 20 μm fokusuoto taško dydį. Tai leidžia tiksliai pašalinti medžiagą ir mikro-apdirbti smulkius kontūrus, siauras struktūras ir detalias keramikos geometrijas.
01
Mažas linijos plotis
Optimaliomis sąlygomis sistema pasiekia minimalų apdirbimo linijos plotį iki 15 μm. Jis suteikia išskirtinį lankstumą smulkiam įbrėžimui, mikro-grioveliui ir didelio-tikslumo keraminiam raštui. (Tikrasis plotis skiriasi priklausomai nuo medžiagos ir proceso nustatymų.)
02
Didelio{0}}greičio galvanometro nuskaitymas
Galvanometro skaitytuvas užtikrina greitą iki 7000 mm/s apdorojimo greitį, skirtą įbrėžimams, mikro-skylių matricoms ir tankiems raštams. Didesniems ruošiniams jis sklandžiai veikia su judesio platforma, kad padidintų efektyvią darbo sritį.
03
Koordinuotas skaitytuvo ir platformos apdorojimas
Pažangi programinė įranga leidžia sinchronizuoti galvanometro skaitytuvo ir judesio platformos judėjimą. Taip užtikrinamas nenutrūkstamas, greitas{1}}apdirbimas dideliame-keraminių pagrindų plote.
04
Tikslus judesio ir matymo lygiavimas
Įrengta labai{0}}tiksli judesio platforma ir CCD regėjimo padėties nustatymo sistema. Tai garantuoja automatinį, tikslų ruošinio išlygiavimą ir išskirtinį apdorojimo nuoseklumą.
05
Techninės specifikacijos
| Prekė | Specifikacija |
| Įranga | UV lazerio apdorojimo sistema |
| Taikymas | SiC keramikos pjovimas lazeriu ir mikroapdirbimas |
| Lazerio bangos ilgis | 355 nm |
| Lazerio tipas | UV nanosekundinis lazeris |
| Lazerio galia | 20W |
| Lazerio dažnis | 50–200 kHz |
| Didžiausias apdorojimo plotas | 300 × 300 mm* |
| Vienas nuskaitymo laukas | 50 × 50 mm |
| Z-Axis Travel | 50 mm |
| Minimali fokusuota vieta | 20μm |
| Minimalus graviravimo linijos plotis | 15μm |
| Darbo stalo padėties nustatymo tikslumas | ±3μm |
| Darbo stalo pakartojamumas | ±2μm |
| CCD vizijos padėties nustatymo tikslumas | ±3μm |
| Didžiausias nuskaitymo greitis | 7000 mm/s |
| Siurbimo sistema | Ventiliatoriaus oro srautas 100m³/val |
| Aušintuvo temperatūros diapazonas | 18-24 laipsnių |
| Aušintuvo temperatūros tikslumas | Mažesnis arba lygus 0,2 laipsnio |
| Maitinimo šaltinis | 220V, 50Hz |
| Bendras energijos suvartojimas | 5 kW |
| Mašinos matmenys | 1500 × 1400 × 1800 mm |
| apytiksliai Mašinos svoris | 1500 kg |
| Programinė įranga | Galvanometro + judesio platformos koordinuotas valdymas |
| CAD failų palaikymas | Standartinis DXF |
| Didelis piešimo palaikymas | 1GB+ |
| Neprivalomas lazeris | UV pikosekundinis lazeris |
Didžiausias 300 × 300 mm apdorojimo plotas pasiekiamas koordinuojant galvanometro nuskaitymą ir platformos judėjimą. Vieno galvanometro nuskaitymo laukas yra 50 × 50 mm.
SiC keramikos apdorojimo programos
1. Ploni SiC keraminiai substratai
Sukurta be{0}}kontaktiniam, didelio-tikslumo plonų SiC substratų apdorojimui su minimaliu šiluminiu ir mechaniniu poveikiu. Idealiai tinka kontūrų pjovimui, pagrindo atskyrimui, įbrėžimams, mikro-plyšiams ir padėties skylėms.
2. SiC Micro-skylių gręžimas
Leidžia tiksliai gręžti mikro{0}}skyles ir tankias skylių- matricas, skirtas dujų srautui, jutikliui ir funkcinėms keraminėms angoms. Skylės dydis, kraštinių santykis ir parametrai gali būti pritaikyti atliekant mėginių testus, kad atitiktų tikslius leistinus nuokrypius.
3. Tikslieji puslaidininkiniai SiC komponentai
Idealiai tinka apdirbti mažas plonas SiC dalis, naudojamas puslaidininkinėje įrangoje, įskaitant keraminius laikiklius, izoliacijos komponentus ir dujų srauto plokštes. Puikiai tinka programoms, kurioms reikalingas didelis padėties nustatymo tikslumas ir detalios -funkcijos.
4. SiC jutiklis ir prietaiso komponentai
Pritaikytas apdoroti temperatūros / slėgio jutiklių bazes, miniatiūrinius izoliacijos komponentus ir tikslias atramas sudėtingoje aplinkoje. Užtikrina švarų kontūrų pjovimą, mikro{1}}išpjovas ir puikias funkcines struktūras.
5. Moksliniai tyrimai ir plėtra, prototipų kūrimas ir nedidelė{1}}paketinė gamyba
Palaiko tiesioginį CAD{0}}pagrįstą apdorojimą be brangių mechaninių įrankių, todėl galima greitai atlikti projektavimo iteracijas. Idealiai tinka universitetams, MTEP laboratorijoms, tyrimų pavyzdžiams ir lanksčiai mažoms{2}}partijoms gaminti.
Tikslaus apdorojimo galimybės
Sistema integruoja lazerinį nuskaitymą, tikslų judesį ir regėjimo padėties nustatymą, kad atitiktų skirtingus SiC apdorojimo reikalavimus.
| Apdorojimo funkcija | Tipiškas taikymas |
| Tikslus pjovimas | Ploni SiC keramikos kontūrai |
| Rašymas | Keramikos atskyrimas ir smulkus žymėjimas |
| Mikro-skylių gręžimas | Mažos skylės ir skylių masyvai |
| Puikus įpjovimas | Siauri grioveliai ir grioveliai |
| Profilio pjovimas | Sudėtingi ir netaisyklingi kontūrai |
| Rašto apdorojimas | Smulkios keraminės konstrukcijos |
| Padėties skylės | Surinkimo ir išlyginimo komponentai |
UV ir QCW lazeris SiC keramikai
Skirtingoms SiC programoms reikia skirtingų lazerinio apdorojimo strategijų.
| Reikalavimas | 355 nm UV lazeris | QCW pluošto lazeris |
| Plona SiC keramika | ★★★★★ | ★★★ |
| Puikios struktūros | ★★★★★ | ★★★ |
| Mikro skylės | ★★★★★ | ★★ |
| Siauri lizdai | ★★★★★ | ★★★ |
| Tikslus pjovimas | ★★★★★ | ★★★ |
| Storas SiC pjovimas | ★★ | ★★★★★ |
| Dideli kontūrai | ★★★ | ★★★★★ |
| Didelės skylės | ★★ | ★★★★★ |
| Didelio{0}}našumo išjungimas | ★★ | ★★★★★ |
| Mažas šiluminis poveikis | ★★★★★ | ★★★ |
DUK
K: Ar mašina gali naudoti pikosekundinį lazerį?
A: Taip. UV pikosekundinį lazerinį apdorojimą galima pasirinkti kaip pasirenkamą konfigūraciją, kai reikia mažesnio šiluminio poveikio, smulkesnių savybių ar didesnio tikslumo.
Klausimas: Ar UV lazeris geresnis nei QCW SiC?
A: Plonai SiC keramikai, mikro skylėms, smulkioms struktūroms ir tiksliam apdorojimui dažniausiai tinka 355 nm UV spinduliai. QCW pluošto lazerinės sistemos geriau tinka storesnei SiC keramikai, dideliems kontūrams, didelėms skylėms ir didelio -efektyvumo pjovimui.
Klausimas: Ar galite išbandyti mūsų SiC pavyzdžius?
A: Taip. Prieš pasirenkant įrangą, rekomenduojama atlikti mėginių tyrimą. Galime įvertinti jūsų SiC medžiagą, storį, geometriją, skylės dydį ir krašto kokybės reikalavimus, kad nustatytume tinkamą lazerio konfigūraciją ir apdorojimo parametrus.
Individualus SiC lazerinis apdorojimas
SiC keramikos sudėtis, tankis, storis, struktūra ir paviršiaus būklė skiriasi. Todėl apdorojimo lazeriu rezultatai gali labai skirtis priklausomai nuo skirtingų medžiagų ir komponentų dizaino.
YCLASER teikia SiC mėginių testavimą ir proceso įvertinimą prieš pasirenkant įrangą.
Klientai teikia:
● SiC mėginiai
● CAD brėžiniai
● Medžiagos storis
● Skylės skersmuo
● Pjovimo geometrija
● Reikalingas matmenų nuokrypis
● Edge{0}}kokybės reikalavimai
● Numatoma gamybos apimtis
Mūsų inžinierių komanda gali įvertinti tinkamą:
Lazerio šaltinis + optinė sistema + skenavimo strategija + judesio platforma + lazerio parametrai + apdorojimo kelias
Susisiekite su mumis dabar!
Populiarus Žymos: sic keraminės UV lazerinio pjovimo staklės, Kinijos sic keraminės UV lazerinio pjovimo staklių gamintojai, tiekėjai, gamykla
